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不同电流下的禁带宽度相同吗?

请教铬的禁带宽度是多少,比锗和硅大还是小?谢谢!

你好!Cr是金属,是导体..禁带宽度比锗大...如有疑问,请追问.

(锗禁带宽度)不同电流下的禁带宽度相同吗?

硅的禁带宽度是多少?对应多少波长

硅的禁带宽度大概是1.1-1.3V,具体是随着温度变化的,随温度变化的关系可以看下面“参考资料”里面那篇文章,文章中提供了好几个经验公式.对应波长:L=c/f = c/(E/h) = c*h/E 这里E是光子能量,c是光速,h是普朗克常数.取c=3*10^8m/s h=4.136*10^(-15)eV/s 温度为300K时,硅的禁带宽度1.124V,则E=1.124eV 得到对应波长为:L=1.104*10^(-6) = 1.104um 也就是大概1.1um左右.

为什么和硅相比,锗二极管受温度影响更大,和死区电压又有什么关系.

一种现象的外在表现都有内在机理.锗二极管的温度性能和死区电压之间 其实内在是有很大关联的,原因是因为锗和硅禁带宽度不同.锗的禁带宽度低,所以相对不耐温,但是死区小(死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数(负的)的乘积).因为锗禁带宽度小,所以电子更活跃,受温度的影响更大,外在表现就是温度稳定性差.

LED工作时两端电压与其禁带宽度是否有关

LED工作实际上是一种电注入少数载流子引起电子与空穴复合而产生可见光的过程,也就是说,只要有电流流过LED的发光晶片,它就能发出光来,而发光的颜色就由材料的禁带宽度决定.从理论上来说,LED工作时,晶片的PN结两端的电压保持禁带宽度不变,而施加在LED两端多余的电压则会分布在晶片衬底、灯架等部位.所以,LED正常的工作电压应该略大于禁带宽度即可,如果过高的话会损坏晶片和支架,同时也会造成功率过高.一般情况下,LED灯采用恒流驱动,而工作电压则保持在一定的范围即可,而且不同颜色的灯,由于禁带宽度不一样,工作电压也会有差别的,比如红灯正常工作时,一般保持工作电压在1.8到2.0V.

介绍下半导体的能带理论

半导体能带理论 分析半导体能带理论,必须从能级,能带,禁带,价带,导带开始.因此分析如下: 能级(Enegy Level):在孤立原子中,原子核外的电子按照一定的壳...

关于能带的价带

这个首先从量子力学的基本假设说起——不连续性可以推出原子外电子的在条件一定... 但是这个禁带的宽度(能量)不是很大,所以有一些电子有机会跃迁到下一个能带....

禁带宽度越大,少数载流子浓度的温度灵敏度怎么样

1) 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流锗管mA级硅管nA级相同温度锗ni比硅ni要高约三数量级所相同掺杂浓度硅少浓度比锗少浓度低故硅管反向饱电流Is 2) 向电压通二极管电流向电压达某数值Ur电流才明显增通电压Ur称二极管门限电压称死区电压或阈值电压由于硅二极管Is远于锗二极管Is所硅二极管门限电压于锗二极管门限电压般硅二极管门限电压约0.5V~0.6V, 锗二极管门限电压约0.1V~0.2V

相同导体在不同电流下单位体积内的自由电子数相等吗?

同种材料,相同形状的导体,导体内自由电子数不变~,与通电与否无关~因此相同导体在不同电流下单位体积内的自由电子数相等~

是不是所有金属导体电阻都随温度的升高而升高

这个属于高中物理的问题.多数金属导体的电阻随温度的升高而升高,但也有少部分不是,如高温超导体,它的电阻则是随温度的升高而降低.

什么是能带工程(energy band engineering)?其意义?

能带理论能带理论是研究固体中电子运动规律的一种近似理论.固体由原子组成,原... 对于不同的材料,禁带宽度不同,导带中电子的数目也不同,从而有不同的导电性....

标签: #宽度 #物理学 #物理